alexis пишет:
Если я правильно понял то при последовательном подключении теряется напряжение, на ирф 2в на втором 4в, итого 6 .. Получается даёт 2,25вт при питании 8в 12-4 это с учётом нижнего. А как в даташите называется этот параметр про насыщение?

evgeny.zaryanov пишет: Так и называется - Saturation. Если он есть, конечно.
Либо приводится режим - сопротивление открытого канала при токе через него же.
Перемножив, получаем ориентировочную цифру.

Заменил нижний транзистор на перемычку, по итогу все так же, не более 15в амплитуды ;(

alexis пишет:
IRF510 (а также другие типа IRF630 и т.п.) годится для такого режима, вот только эффективность их уменьшается с ростом частоты. Т.е. на 100-1000 кГц в таких схемах они еще годятся, а выше - уже слишком сильно растет входной управляющий ток. Это все из-за емкостей переходов и главным образом - емкости затвора. BS170 имеет малую емкость и потому хорошо работает даже в параллель. Сравните эту емкость с IRF510 или IRF630 и посчитайте, какой должен быть ток управления затвором, чтобы на рабочей частоте успевать перезаряжать эту емкость.

Сейчас же этого тока недостаточно, напряжение на затворе далеко от прямоугольного, плюс уровень этого напряжения низок (надо хотя бы 7-10 В). Напряжение сейчас либо треугольное, либо даже синусоидальное (если ваш лог.элемент совсем слабый; вместе с его выходным сопротивлением и емкостью затвора образуется RC-фильтр, который фильтрует все нужные для прямоугольного сигнала гармоники). В итоге транзистор больше не работает в ключевом режиме и ни о каком классе Е говорить не приходится. Транзистор большую часть времени находится в переходном состоянии и рассеивает мощность в тепло. Потому и КПД низок, и расчетную мощность он не развивает.

Итог: Указанные в даташите высокие напряжения - это граничные условия, при низких напряжениях эти транзисторы тоже работают, только неэффективны в маломощных (до 10 Вт) и высокочастотных (более 3-10 МГц) ключевых усилителях класса Е из-за необходимости иметь мощный драйвер.

Проверено экспериментально 2 года назад. Параметры для программы CLASSE приходится вычислять эмпирически путем измерений на макете, т.к. они зависят от режима работы транзистора (и друг от друга также). Это достаточно кропотливая процедура.

Вместо этого можно сделать начальное приближение номиналов компонентов, собрать макет и по табл. (см. две последние страницы) с помощью осциллографа (полоса не ниже 30-50 МГц!) провести точную настройку:



См. также статью известного автора, почему IRF510 - плохой кандидат для 5 Вт QRP PA:



Дополнительная информация в помощь:




Математика (на русском, для любознательных ):

Спасибо за инфо, жаль конечно что настолько они бестолковые.
Хотелось бы добить задумку, на раскачку я с нс240 отдаю на него примерно 0.4-0.5вт. Так как осциллограф 10мгц, увидеть прямоугольный импульс я не могу на этой частоте.
Хорошо, а что посоветуете в данном случае например rd16 ? Или чтонить по дешевле.

Да, RD15HVF1, RD06HVF1 работают. У них емкости мизерные и их используют на УКВ. В нашем случае (для КВ) это опять вылазит боком - из-за слишком быстрого переключения на стоке осциллографом я наблюдал ударное возбуждение выходной цепи и паразитные резонансы, т.е. в момент переключения видно не просто переход из (допустим нуля до U+), а переход с серией паразитных колебаний, частота которых гораздо выше рабочей. Также (иногда из-за длинных проводов) это относится и к управляющему напряжению на затворе. Оно должно быть очень чистым для таких транзисторов.

С этим надо быть осторожным. Эти СВЧ транзисторы легко возбуждаются и маленький проводок для них уже резонансный LC-контур на УКВ/СВЧ. Решением может быть: минимальная длина соединений, ферритовые бусины на контакты транзистора (но может и хуже стать, надо смотреть конкретную схему), а также применение SMD конденсаторов вместо аксиальных (опять же из-за малой собственной индуктивности у SMD).

Лично я для себя в таких схемах (на КВ) решил использовать SMD ключевые полевые транзисторы (см. пример схемы маяка, приводимый тут ранее). Критерии выбора:

1. минимальная емкость затвора
2. минимальное время переключения, в нс
3. минимальное напряжение "открывания" (1-3 В)
4. минимальное сопротивление в открытом состоянии
5. максимальные допустимые рабочие напряжения и токи на переходе исток-сток

ur4mck пишет: RD15HVF1 - до 580 мгц
RD06HVF1 - 175 мгц
А вот RD16HHF1 сертифицирован на частоту 30 мгц.
QRP усилители на нем получаются вообще беспроблемные, что в ключевом, что в линейном режимах. Для большей мощности, и если УМ более 2-х каскадов, конечно надо меры принимать от самовозбуда.
Оченно мне нравится этот транзистор. Тот же BS170-й ему в раскачку - и при 12 вольтах 5 вт отдает легко. В ключевом режиме даже радиатор не нужен.

alexis пишет: Вот! А это уже для меня интересная информация. Такие "КВ транзисторы" раньше не пользовал, беру на заметку. Спасибо!

На этом транзисторе любят делать простые "линейники" для Си-Би станций. Есть у меня такой, при раскачке 4Вт выдает чуть более 20Вт на 27МГц, при питании 13.8В

ur4mck пишет: На здоровье, Дмитрий.

Пробовал я нечто подобное цеплять к ПФР (к выходу НС02, вместо 3х BSов):


Выдавало оно мне около 7вт на 50 омах.
Но потребляемый ток был заметно больше 1А, поэтому не стал внедрять.
Если добавить цепи смещения, и подвести ими рабочие точки транзисторов ближе к порогу отпирания, то можно было бы и побольше мощность получить.