rm4hq пишет: Да.
rm4hq пишет: Точный ответ на этот вопрос дать не могу. Надо смотреть учебники. В своей практике всегда пользуюсь экспериментальным подбором или (что проще) уточнением на макете результатов, полученных при расчете в программе RFSim.
Существует также коэффициент связи между катушками (основной и катушки отвода). Если он будет меньше 1, тогда эти варианты не равноценны. Это надо учитывать.

Статья, из которой взята схема: Маяк на AVR – новый подход в действии

Спасибо за разъяснения.

Товарищи добрый день!
Не первый день уже мучаюсь с расчетом Класса Е, c BS170 более менее удалось раскачать его на 1.4вт, но сейчас другая задача требуется проделать все то же самое но с IRF510,
максимум что мне удалось с него добиться это 15в амплитуды на нагрузке 50ом что соответвует всего 2.25вт. Раскачиваю транзистор 74hc240 на частоте 7032кгц

Вопросы у меня по программе ClassE Version 2.05, а именно в вводе секретных параметров.Может кто производил расчет для Ирф510. А то я уже по всякому попробовал, и нифига не получается. Сейчас вот ввел другие данные а именно :
Freq: 7032800
Power: 5
Supply: 12
Saturation: 2
Network Q: 8
FallTime : 9.4ns
И вот не понятно правильны ли эти параметры, мож кто поможет?

Приветствую, Евгений.
IRF510 не годится для того режима, что вы указали в программе.
Для его нормальной работы требуется напряжение стока до 100 вольт.
И напряжение раскачки до +- 20в.
Это по даташиту на транзистор.
74hc240 у вас может дать максимум 7 вольт, при этом с риском спалить микросхему.

Если хотите выжать поболее из этого УМ класса Е - лучше поставьте 3 BS170 в параллель, как в ПФРе.

Добрый день Алексей, основа взята тут radiodv.net/mayak35.php. Я просто сделал трансивер на подобии classi e, с гетеродином на hc240 и оконечиком на 510, просто я не могу понять какие данные вводить,в программу.. Ну реально запарился уже. Должен он ватта 4 отдать..

Но не отдаст.
В оригинале схемы ClassiE два BS170.
А что у вас, Евгений применено в качестве нижнего по схеме транзистора?

04n60

Странно, но и без "Е" режима у меня BS170 легко выдаёт 1 Вт. Вроде бы и разница небольшая...

evgeny.zaryanov пишет: Ну вот и одна из возможных причин.
По даташиту у этого транзистора 4 с лишним вольта напряжение насыжения.
Конечно же все зависит от конкретных условий.
Но 4 вольта - это перебор.
Добавьте сюда еще 2 вольта от ИРФ510 (по даташиту, кстати, 1.8 получается).
Вот вам половина напряжения питания в режиме насыщения.
У BS170-го это самое напряжение насыщения (по даташиту) получается ориентировочно 0.24 вольта. При последовательном соединении = 0.5 вольта.
Как вам против 6-ти вольт?
А если еще BS-ы параллельно включите - вообще в три раза уменьшится.

Помогите лучше с программой разобраться для irf510 я думаю всеже можно давануть с него больше 2.25вт