Да, коллектор на корпусе транзистора. 2,76 Вольт при ненажатом ключе.
И 10,6 (!!!!) при нажатом!

Транзистор VT2 и дроссель - исправны. Остается П-контур. Отпаяйте переходную емкость от старого П-контура и впаяйте временный на 820пф-4мкгн-820пф. Нагрузку 50 ом. Делов то на 15 минут! Удачи!
Сергей RW3DF

Снова сюрпризы. По схеме Dr3- 2.2 мкГн, Вы пишете -4 мкГн, а по калькулятору тут - dl2kq.de/soft/6-5.htm - 7.24 мкГн..

В любом случае завтра с утра придется идти в ЧипДип за дросселями..

Калькулятор DL2KQ предназначен для расчета ламповых выходных каскадов. Если в него ввести данные для вашего случая, то он пишет, что такой П-контур не реализуем. Для лампового каскада вводятся: добротность ненагружная -обычно 200-250, нагруженная добротность - от 8 до 16, обычно 12. В вашем случае - индуктивность - это китайский дросселек с добротностью порядка 30. Дроссель большего размера будет иметь добротность около 50. Для транзисторного каскада нагруженную добротность берут от2 до 4.В отдельных случаях даже 1. Это уже не контур, а фильтр. И считают их такими программами, как RFSIM99, Filter solution, Elsie и рядом других. Проще всего посмотреть можно в RFSIM99. Там есть расчет симметричных фильтров. Задаете частоту среза фильтра, его порядок - однозвенный,двухзвенный или больше, нагрузочное сопротивление. Для вашего случая R=50ом и частоты 3,6мгц емкости получаются чуть меньше 800пф. Это неудобно, чтобы подогнать под стандартные 820пф увеличиваем слегка частоту среза. При частоте среза 3,9мгц и получаем емкости 820пф. Смотрим, какая получается индуктивность, около 4 мкгн. Если не будет такой, можно взять два дросселя по 2мкгн и соединить их последовательно. А можно взять и намотать свою катушку на подходящем каркасе.
Сергей RW3DF

Сергей, спасибо, завтра попробую перепаять..

В чип можно не ехать. Посмотрел на расчет фильтра в Elsie. В отличие от RFSIM99 там можно задать тип фильтра -Батервортовский или Чебышева. Так вот RFSIM99 считает только Батервортовский. Для него действительно индуктивность получается в обоих программах 4мкгн. А вот Чебышевский фильтр 820пф-2мкгн-820пф. У чебышевского линия среза более крутая. Он более предпочтителен. Я сам удивился вначале, когда получилось в RFSIM99 индуктивность 4мкгн.
Сергей RW3DF

Ларчик просто открывался.. Стал пробником мерить напряжение на каждом контакте от антенны к коллектору VT2. На антенном гнезде- нет напряжения, на разъеме платы -нет, на выходе дросселя- нет, на входе нет... Случайно тронул С6- а он болтается! Хотя его ножки внешне выглядят надежно пропаянными. Из обрезков ног сделал две перемычки от С6 на дроссель и коллектор транзистора- вуаля! На эквиваленте 2,66 В.

70мвт - мало будет! На 40м получалось без всяких подстроек 300-400мвт. Теперь можно попробовать уменьшить уменьшить номинал резистора в эмиттере VT2. Ориентир - Микро-80.
Сергей RW3DF

Посмотрел схему - эмиттер VT2 и так сидит на земле. Попробовать уменьшить другой резистор - тот, который в эмиттере VT1. Проще его не выпаивать, а припаять параллельно от 1,5 до 2ком. Общее сопротивление будет от 750 ом до 850ом. Можно еще разобраться с емкостным делителем.

>Попробовать уменьшить другой резистор - тот, который в эмиттере VT1.

Там еще R3 последователно... Про R3 сказано, что его вообще можно исключить..

А эммитер VT2 - через R5 ..

Ок, уменьшу сначала R5, посмотрю, если ничего не изменится, поиграю с R2.