Прохожий пишет:
Не томите уж, что за ошибка-то?

del

Прохожий пишет: Нет, не заметил. А вы уже собрали такую?
Я очень осторожно отношусь к таким сообщениям об ошибках. За 15 лет мне про столько ошибок в моей конструкции антенны Фукса написали, просто море. А у меня всё работает, и экземпляров уже не счесть. Так что излагайте, будем смотреть. Автор утверждает, что делал. Я, нет, пока.

UU7JF пишет: Вот:

Прохожий пишет: зачем там средняя точка? Это не ошибка

Прохожий пишет: Это унаследовано из расчетов выше по теме, но в данном случае не имеет значения, ибо по постоянному току от затворов развязано. Ни на что не влияет.

А что если использовать для QRP LDMOS транзисторы? (Другой темы про новые технологии у нас нет, решил написать тут) Вот например в чипедипе есть один такой: https://www.chipdip.ru/product/pd85004-rf-power-mosfet-n-ch-4w-l Конечно дорогие, ёлки-наа, как сказал бы мой старый дядя. Пока не заказывал, не до этого, всё на таблетки уходит. А как хотелось бы проверить, реально ли получить с него 2 Вт при 3.6 вольтах питания. Удивляют заявленные характеристики, особенно по части необычайной устойчивости при разнообразных перенапряжениях. QRO-ники их уже давно используют.
Но самые супер транзисторы это наверное GaN, на нитриде галлия. Но их нет пока на маленькие мощности.

Использую эту схему, при 5 вольтах выдает 1 ватт на 1,8 3,5 и 7 мгц
, 0,5 ватта 10 и 14 мгц ну и дальше уменьшается до 28 мгц - 0,2 ватта



На вход С1 сигнал подается непосредственно с SI5351A

R0QAG пишет: Я недавно получил с Али пяток ATF09MS007. Два таких у меня стоят на выходе портативки Quansheng TG-UV2+. Дает 11-12 Ватт по всем УКВ. Только к 136МГц чуток завал до 10. Хочу попробовать на КВ. Пока обдумываю схему. В даташите схемные примеры только для УКВ, куда он в основном и заточен. Производитель указывает минимальную рабочую частоту 1,8 МГц. Я PA на КВ сам не считал никогда. Боюсь что-то упустить. Хочу что-то линейное, возможно двухтактное, так, чтобы для SSB и цифры.
aliexpress.ru/item/32956977861.html?spm=...1.0.0.264d33edxN39Ki

Здравствуйте, Евгений!
Да, посмотрел даташит к ATF09MS007. Не знаю точно, но там вроде написано что внутри стоит некая схема АРУ, написано: "Integrated Stability Enhancements", и вроде вход - выход согласованный на 50 ом, наверное внутри куча деталей нагорожена(и их емкости что-то очень большие). Может из-за этого моща падает? (в транзисторе PD85004 внутри только один элемент).
Где-то читал что LDMOS, и особенно GaN транзисторы работают в режиме АВ, желательно. В импульсном режиме из-за очень больших токов транзистор может и сгореть, из-за какого-то паразитного биполярного транзистора, получающегося по технологии производства. Может, надо чуть приоткрыть его перед первым пуском?